продукти

Продукти

Завършване с фланец

В края на веригата се монтират фланцови накрайници, които абсорбират сигналите, предавани във веригата, и предотвратяват отразяването на сигнала, като по този начин влияят върху качеството на предаване на електрическата система.

Фланцовата клема се сглобява чрез заваряване на резистор с единичен проводник с фланци и лепенки.Размерът на фланеца обикновено се проектира въз основа на комбинацията от монтажни отвори и размери на съпротивлението на клемите.Персонализирането може да бъде направено и според изискванията на клиента за използване.


  • :
  • Подробности за продукта

    Продуктови етикети

    Завършване с фланец

    Завършване с фланец
    Основни технически характеристики:

    Номинална мощност: 5-1500W;
    Субстратни материали: BeO、AlN、Al2O3
    Номинална стойност на съпротивлението: 50Ω
    Толеранс на съпротивление: ±5%、±2%、±1%
    Температурен коефициент: <150ppm/℃
    Работна температура: -55~+150℃
    Покритие на фланеца: опционално покритие от никел или сребро
    ROHS стандарт: Съвместим с
    Приложим стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Дължина на кабела: L, както е посочено в информационния лист
    (могат да бъдат персонализирани според изискванията на клиента)

    zxczxc1
    Мощност
    (W)
    Честота
    Обхват
    Размер (единица: mm) СубстратМатериал Конфигурация Информационен лист
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФИГ. 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  ФИГ. 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФИГ.2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФИГ.2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФИГ. 1   RFT50A-10TM1304
    AlN ФИГ. 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  ФИГ. 1   RFT50A-10TM1104
    AlN ФИГ. 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 ФИГ.2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN ФИГ.2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФИГ. 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФИГ.2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФИГ.2   RFT50-10TM7705I
    20W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФИГ.2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN ФИГ. 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN ФИГ. 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN ФИГ.2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФИГ. 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФИГ.2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФИГ.2   RFT50-10TM7705I
    30W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФИГ. 1   RFT50N-30TJ1606
    BeO ФИГ. 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФИГ. 1   RFT50N-30TJ2006
    BeO ФИГ. 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФИГ.2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO ФИГ.2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФИГ. 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФИГ. 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФИГ.2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO ФИГ.2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端ФИГ.3,4,5
    Мощност
    (W)
    Честота
    Обхват
    Размери (единица: mm) Субстрат
    Материал
    Конфигурация Информационен лист (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФИГ. 1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO ФИГ.2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФИГ. 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ.4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФИГ. 1   RFT50-100TJ2510
    5GHz 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФИГ.2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO ФИГ. 1   RFT50-100TM1663
    6GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФИГ. 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФИГ. 1   RFT50N-100TJ2006B
    8GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФИГ. 1   RFT50N-100TJ2006C
    150W 3GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ.4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN ФИГ. 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФИГ. 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФИГ. 1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ.4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ.3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФИГ. 1   RFT50-150TJ2510
    200W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФИГ. 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФИГ. 1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ.2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ.3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФИГ. 1   RFT50-150TJ2510
    10GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФИГ. 1   RFT50-200TM3213B
    250W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ.3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФИГ. 1   RFT50-250TM2510
    27,0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-250TM2710
    10GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФИГ. 1   RFT50-250TM3213B
    300W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФИГ. 1   RFT50-300TM2510
    27,0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФИГ. 1   RFT50-300TM2710
    10GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФИГ. 1   RFT50-300TM3213B
    400W 2GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФИГ. 1   RFT50-400TM3213
    500W 2GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФИГ. 1   RFT50-500TM3213
    800W 1GHz 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO ФИГ.5   RFT50-800TM4826
    1000W 1GHz 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO ФИГ.5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO ФИГ.5   RFT50-1500TM5078

    Преглед

    Фланецът обикновено е изработен от медно покритие от никел или сребро.Устойчивият субстрат обикновено е направен от берилиев оксид, алуминиев нитрид и печат с алуминиев оксид в съответствие с изискванията за мощност и условията на разсейване на топлината.

    Фланцовото завършване, подобно на изведеното завършване, се използва главно за поглъщане на сигнални вълни, предавани до края на веригата, предотвратяване на отразяването на сигнала върху веригата и осигуряване на качеството на предаване на електрическата система.

    Фланцовият край има характеристиката на лесна инсталация в сравнение с пач резисторите поради своя фланец и монтажните отвори на фланеца.


  • Предишен:
  • Следващия:

  • Напишете вашето съобщение тук и ни го изпратете