-
RFTXXN-10CR2550C Чип резистор RF резистор
Модел RFTXXN-10CR2550C мощност 10 W Съпротивление XX Ω (10 ~ 3000Ω Персонализируемо) Толеранс на съпротивление ± 5% Температурен коефициент <150ppm/℃ Субстрат Aln резистентен елемент Дебел филм ОПЕРАЦИОННА Температура -55 до +150 ° C (виж DE мощност De-Rating) Предложени процедури за монтиране на мощност на мощност на разточване на профила P/N Използване 6 месеца се обръща внимание на заваряемостта преди употреба. Препоръчва се ... -
RFTXX-20CR2550C Чип резистор RF резистор
Предложени процедури за монтаж на мощност захранване на профил за презареждане на профил P/N Използвайте внимание ■ След периода на съхранение на новозакупените части надвишава 6 месеца, се обръща внимание на заваряемостта преди употреба. Препоръчва се да се съхранява след вакуумна опаковка. ■ Пробийте термични виаси през ПХБ и попълнете с спойка. ■ Заваряването на разточване е предпочитано за заваряване, вижте Кривата на презареждане ■ За да се отговори на изискванията на чертежа, трябва да се монтира радиатор с достатъчен размер. ■ Ако е необходимо, ... -
RFTXX-30CR2550TA повърхностно резистор RF резистор RF резистор
Модел RFTXX-30CR2550TA мощност 30W съпротивление xx Ω (10 ~ 3000Ω Персонализируемо) толеранс на съпротивление ± 5% Температурен коефициент <150ppm/℃ Субстрат BEO резистивен елемент Дебел филм, работещ на температура -55 до +150 ° C (виж DE захранване) Предложен период на монтиране на мощност на мощност на разточване на профил P/N Изобрете Месеци се обръща внимание на заваряването преди употреба. Препоръчва се ... -
Широколентов изолатор
Широколентовите изолатори са важни компоненти в системите за комуникация на RF, осигуряващи редица предимства, които ги правят много подходящи за различни приложения. Тези изолатори осигуряват широколентово покритие, за да осигурят ефективна ефективност в широк честотен диапазон. Със способността си да изолират сигнали, те могат да предотвратят смущения от сигнали на лентата и да поддържат целостта на в лентовите сигнали. Една от основните предимства на широколентовите изолатори е тяхната отлична ефективност на високата изолация. Те ефективно изолират сигнала в края на антената, като гарантират, че сигналът в края на антената не се отразява в системата. В същото време тези изолатори имат добри характеристики на порта за изправена вълна, намалявайки отразени сигнали и поддържайки стабилно предаване на сигнала.
Честотен диапазон от 56MHz до 40GHz, BW до 13.5GHz.
Военни, космически и търговски приложения.
Ниска загуба на вмъкване, висока изолация, обработка на висока мощност.
Персонализиран дизайн е наличен при поискване.
-
RFTXX-30CR6363C повърхностно монтиране резистор RF резистор
Model RFTXX-30CR6363C Power 30W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts exceeds 6 месеца се обръща внимание на заваряемостта преди употреба. Препоръчва се ... -
RFTXX-30CR2550W повърхностно резистор RF резистор RF резистор
Модел RFTXX-30CR2550W мощност 30 W Съпротива XX Ω (10 ~ 3000Ω Персонализируем) Толеранс на съпротивлението ± 5% Температурен коефициент <150ppm/℃ Субстрат BEO резистивен елемент Дебел филм, работещ на температура -55 до +150 ° C (виж DE захранване) Предложен период на монтиране на мощност на мощност на разточване на профил P/N Използвайте Внимание. Месеци се обръща внимание на заваряването преди употреба. Препоръчва се ... -
RFTXXN-02CR2550B, чип резистор, RF резистор
Model RFTXXN-02CR2550B Power 2 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate AlN Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts надвишава 6 месеца, се обръща внимание на заваряемостта преди употреба. Препоръчва се ... -
Микро -атенюатор с ръкав с ръкав
Микро -атенюаторът с ръкав се отнася до спираловиден чип за затихване на микро -проверка със специфична стойност на затихване, поставена в метална кръгла тръба със специфичен размер (тръбата обикновено е изработена от алуминиев материал и изисква проводимо окисляване и може да бъде поставена със злато или сребро, ако е необходимо).
Персонализиран дизайн е наличен при поискване.
-
RFTXXA-02CR3065B Чип резистор RF резистор
Model RFTXXA-02CR3065B Power 2 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate Al2O3 Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts надвишава 6 месеца, се обръща внимание на заваряемостта преди употреба. Препоръчва се ... -
RFTXXN-05CR1530C Чип резистор RF резистор
Model RFTXXN-05CR1530C Power 5 W Resistance XX Ω ~(10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate AlN Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts надвишава 6 месеца, се обръща внимание на заваряемостта преди употреба. Препоръчва се ... -
RFTXX-05CR2550W Чип резистор RF резистор
Model RFTXX-05CR2550W Power 5 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts exceeds 6 месеца се обръща внимание на заваряемостта преди употреба. Препоръчва се ... -
RFTXX-30CR6363C Чип резистор RF резистор
Model RFTXX-30CR6363C Power 30W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts exceeds 6 месеца се обръща внимание на заваряемостта преди употреба. Препоръчва се ...
